三星电子近日披露，未来几年内会陆续在中国内地投入多达70亿美元资金，用于建设多座新工艺工厂，包括使用最先进的10nm级别NAND闪存工艺。 三星考虑的第一座工厂将落址陕西西安，预计投资23亿美元，很快就会建成投产，可制造10nm级别工艺的NAND闪存，以满足不断猛增的市场需求。
韩国证券投资公司(Korea Investment & Securities)分析师徐元奭(Seo Won-seok)指出：“如此一座工厂可能会创下整个产业的规模之最。对于NAND闪存来说，中国会成为一个关键的生产地，可与韩国并驾齐驱。” 至于其它47亿美元的投资去向，三星还没有披露更详细的计划，不过其中不少也会和NAND闪存有关。 业内人士认为，中国庞大的人口和众多的电子代工厂将推动其在未来数年内成为全球最大的NAND闪存消费国，尽快在这里建设相应的闪存工厂，并在中长期的未来扩大产能也在情理之中。 (本文来源：驱动之家MyDrivers 作者：上方文Q)
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